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mos管是FET的一種，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道m(xù)os管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。

MOS管的驅(qū)動(dòng)電路有兩個(gè)要點(diǎn)：

1、瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流要夠大，所謂驅(qū)動(dòng)MOS管，主要就是對(duì)MOS管門極的寄生電容的充電放電，也就是打開和關(guān)閉MOS管

2、NMOS的Vgs（門-源電壓）高于4V即可導(dǎo)通，PMOS的Vgs（門-源電壓）低于4V即可導(dǎo)通

直接驅(qū)動(dòng)NMOS

R1為負(fù)載

僅適用于NMOS低端驅(qū)動(dòng)，因?yàn)镹MOS導(dǎo)通的條件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波剛好滿足要求（3.3V的低壓?jiǎn)纹瑱C(jī)這里就有無(wú)法完全打開NMOS的風(fēng)險(xiǎn)，表現(xiàn)為MOS發(fā)熱，或者負(fù)載兩端電壓過(guò)低）

推挽輸出

R1為負(fù)載

這個(gè)電路是共射極放大電路，主要是起到放大MOS管門極的驅(qū)動(dòng)電流，不能放大電壓，

適用于NMOS低端驅(qū)動(dòng)，單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)MOS管的門極時(shí)，電流不夠，開關(guān)速度過(guò)慢，MOS管發(fā)熱時(shí)，可以增加驅(qū)動(dòng)電流，實(shí)現(xiàn)更快速的MOS管的開關(guān)

一種變換電壓的推挽式驅(qū)動(dòng)電路

R3為負(fù)載

如果采用PMOS作為高端驅(qū)動(dòng)的話，那么關(guān)斷PMOS就要使門極電壓至少等于源極電壓

采用兩個(gè)NPN三極管+ 一個(gè)二極管，實(shí)現(xiàn)給PMOS門極0V~12V的快速變換

當(dāng)然也可以用于NMOS的低端驅(qū)動(dòng)

此電路同時(shí)適用于3.3V輸出的單片機(jī)