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MOS管驅(qū)動電阻器，和雙極浸提管不同的點，在于MOS管是電壓控制型器件，在應(yīng)用過程中，相當(dāng)于一個開關(guān)，漏極和源極之間有一個寄生二極管，它的驅(qū)動會相對比較復(fù)雜一些。

MOS管導(dǎo)通=開關(guān)閉合，導(dǎo)通后即有導(dǎo)通電阻，電流通過產(chǎn)生消耗能量，即導(dǎo)通損耗。

應(yīng)用選擇：MOS管導(dǎo)通小電阻。

MOS管場效應(yīng)管開關(guān)速度：導(dǎo)通與截止有一個過程，兩端電壓下降過程，流過的電流上升過程，此時

電壓X電流=MOS管損耗 即開關(guān)損耗

開關(guān)損耗 > 導(dǎo)通損耗

開關(guān)頻率越快，損耗越大

實際應(yīng)用減小開關(guān)損耗方法

縮短開關(guān)時間：可減小每次導(dǎo)通時損耗；

降低開關(guān)頻率：可減小單位時間內(nèi)開與關(guān)的次數(shù)

柵極電壓VGS

MOS管場效應(yīng)管GS與GD間存有寄生電容，驅(qū)動MOS管實際是此電容充放電；

因電阻值大小影響開關(guān)速度，即影響MOS管開關(guān)損耗，MOS管場效應(yīng)管柵極電阻器的電阻值應(yīng)當(dāng)選擇最適合的。

MOS管在線性區(qū)即電壓低于夾斷電壓中運行，此時導(dǎo)通電阻較低，

開關(guān)應(yīng)用：可在低VDS區(qū)中用MOS管降低導(dǎo)通電阻。

柵極電壓VGS >閾值電壓Vth，MOS管導(dǎo)通。

VGS越高，RDS(ON)值越低

溫度越高，RDS(ON)值越高

減少損耗方法：

VGS增大，減小電子元器件應(yīng)用時電流水平下電阻，即降低穩(wěn)態(tài)損耗；

VGS值高，使高頻開關(guān)下驅(qū)動損耗與總損耗比率增大，因此選擇合適的MOS管及柵極驅(qū)動電壓很重要，常用導(dǎo)通電壓Vth：4V，10V

柵極電阻器如何選擇

MOS管場效應(yīng)管柵極端子上連接電阻器

此柵極電阻器作用：抑制尖峰電流 + 減少輸出振鈴

柵極電阻器大：降低開關(guān)速度，即會使功率損耗增大+性能降低+發(fā)熱；

柵極電阻器小：提高開關(guān)速度，即會引發(fā)電壓尖峰和振蕩 + 電子元器件損壞或故障；

解決方案：

1.選擇最佳柵極電阻器；

2.調(diào)節(jié)柵極電阻器值，改善開關(guān)速度；

3.用不同柵極電阻器開通或關(guān)斷MOS管場效應(yīng)管；

雖然驅(qū)動電路比較復(fù)雜，MOS管的開關(guān)特性獨一無二，無法取代的，MOS管從開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動、照明調(diào)光向汽車電子、新能源電力方面做相應(yīng)的推廣。